Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• фет типу
  P-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  55 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  74A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  20mOhm @ 38A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  180 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  3400 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  200W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  TO-220AB
• пакет / футляр
  TO-220-3