Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  2 N-Channel (Half Bridge)
• функція fet
  Silicon Carbide (SiC)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  1200V (1.2kV)
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  468A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  4.25mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.6V @ 106mA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  1040nC @ 15V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  29700pF @ 800V
• потужність - макс
  -
• Робоча температура
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтажу
  Chassis Mount
• пакет / футляр
  Module
• пакет пристрою постачальника
  Module