-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
SISF00DN-T1-GE3
Виробник
категорія продукту
транзистори - фети, мосфети - матриці
опис
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серіїTrenchFET® Gen IV
-
пакетTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
статус частиниActive
-
фет типу2 N-Channel (Dual) Common Drain
-
функція fetStandard
-
напруга відведення до джерела (vdss)30V
-
струм - безперервний злив (id) при 25°c60A (Tc)
-
rds on (max) @ id, vgs5mOhm @ 10A, 10V
-
vgs(th) (макс.) @ id2.1V @ 250µA
-
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs53nC @ 10V
-
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds2700pF @ 15V
-
потужність - макс69.4W (Tc)
-
Робоча температура-55°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футлярPowerPAK® 1212-8SCD
-
пакет пристрою постачальникаPowerPAK® 1212-8SCD
