TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

Виробник

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    DTMOSIV
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    800 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    17A (Ta)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    290mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 850µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    32 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    2050 pF @ 300 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    45W (Tc)
  • Робоча температура
    150°C
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-220SIS
  • пакет / футляр
    TO-220-3 Full Pack

TK17A80W,S4X Запит про ціну

В наявності 8326
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
4.02000
Планова ціна:
Всього:4.02000

Технічний паспорт