Технічні характеристики

• серії
  NexFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  25 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  100A (Ta)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  0.59mOhm @ 50A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  1.9V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  250 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  14000 pF @ 12 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  3.2W (Ta), 195W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  8-VSONP (5x6)
• пакет / футляр
  8-PowerTDFN