STD7ANM60N

STD7ANM60N

Виробник

STMicroelectronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    600 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    5A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    900mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    14 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±25V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    363 pF @ 50 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    45W (Tc)
  • Робоча температура
    150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • пакет / футляр
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD7ANM60N Запит про ціну

В наявності 17386
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.21000
Планова ціна:
Всього:1.21000

Технічний паспорт