STD110N8F6

STD110N8F6

Виробник

STMicroelectronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    STripFET™ F6
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    80 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    80A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    6.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.5V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    150 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    9130 pF @ 40 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    167W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • пакет / футляр
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD110N8F6 Запит про ціну

В наявності 18684
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
1.13000
Планова ціна:
Всього:1.13000

Технічний паспорт