Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  P-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  40 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  10A (Ta)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs
  112mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  -
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  8 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±10V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  650 pF @ 20 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  1W (Ta), 15W (Tc)
• Робоча температура
  150°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  IPAK/TP
• пакет / футляр
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA