Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  30 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  8.9A (Ta), 52A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  5.5mOhm @ 20A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.2V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  28 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1.979 pF @ 15 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  850mW (Ta), 29.8W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  8-WDFN (3.3x3.3)
• пакет / футляр
  8-PowerWDFN