-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
MIC4123YME
Виробник
категорія продукту
опис
DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетBulk
-
статус частиниActive
-
керована конфігураціяLow-Side
-
тип каналуIndependent
-
кількість водіїв2
-
тип ворітN-Channel, P-Channel MOSFET
-
напруга - живлення4.5V ~ 20V
-
логічна напруга - vil, vih0.8V, 2.4V
-
струм - піковий вихід (джерело, поглинач)3A, 3A
-
тип введенняInverting
-
напруга високої сторони - макс (бутстрап)-
-
час наростання/спаду (тип.)11ns, 11ns
-
Робоча температура-40°C ~ 125°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футляр8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
-
пакет пристрою постачальника8-SOIC
