ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    UltraFET™
  • пакет
    Bulk
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    30 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    75A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 75A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    300 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    11 pF @ 15 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    345W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • пакет / футляр
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ISL9N302AS3ST Запит про ціну

В наявності 15380
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
2.07000
Планова ціна:
Всього:2.07000

Технічний паспорт