-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
IRF7319PBF
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серіїHEXFET®
-
пакетTube
-
статус частиниObsolete
-
фет типуN and P-Channel
-
функція fetStandard
-
напруга відведення до джерела (vdss)30V
-
струм - безперервний злив (id) при 25°c-
-
rds on (max) @ id, vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
-
vgs(th) (макс.) @ id1V @ 250µA
-
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs33nC @ 10V
-
вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds650pF @ 25V
-
потужність - макс2W
-
Робоча температура-55°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футляр8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
-
пакет пристрою постачальника8-SO
