IRF510

IRF510

Виробник

Rochester Electronics

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Obsolete
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    100 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    5.6A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    540mOhm @ 3.4A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    8.3 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    180 pF @ 25 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    43W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • пакет / футляр
    TO-220-3

IRF510 Запит про ціну

В наявності 111925
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.09000
Планова ціна:
Всього:0.09000

Технічний паспорт