Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• керована конфігурація
  Half-Bridge
• тип каналу
  Independent
• кількість водіїв
  2
• тип воріт
  IGBT, N-Channel MOSFET
• напруга - живлення
  10V ~ 20V
• логічна напруга - vil, vih
  0.8V, 2.9V
• струм - піковий вихід (джерело, поглинач)
  200mA, 350mA
• тип введення
  Non-Inverting
• напруга високої сторони - макс (бутстрап)
  600 V
• час наростання/спаду (тип.)
  150ns, 50ns
• Робоча температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет пристрою постачальника
  8-SOIC