Технічні характеристики

• серії
  CoolSiC™+
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• тип діода
  Silicon Carbide Schottky
• напруга - зворотний постійний струм (vr) (макс.)
  650 V
• струм - середній випрямлений (іо)
  12A (DC)
• напруга - вперед (vf) (max) @ якщо
  1.7 V @ 12 A
• швидкість
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• час зворотного відновлення (trr)
  0 ns
• струм - зворотний витік @ вр
  190 µA @ 650 V
• ємність @ vr, f
  360pF @ 1V, 1MHz
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет / футляр
  TO-247-3
• пакет пристрою постачальника
  PG-TO247-3
• робоча температура - спай
  -55°C ~ 175°C