-
-
Низька ціна через Factory-Direct
Працюйте безпосередньо з фабрикою електроніки, щоб уникнути посередників. Новий оригінал з низькою та зниженою ціною
-
Безпека та якість Надійність
Система страхування якості для чудової якості продукції. Вчасне, щоразове забезпечення якісних компонентів.
-
Понад 15 мільйонів запасів
100+ найвідоміших світових виробників, понад 15 мільйонів запасів. Доступні запаси, які можна придбати безпосередньо зі знижкою.
-
Дружнє обслуговування клієнтів
Універсальне рішення, персоналізоване відповідно до ваших унікальних вимог. Підтримка веб-сайту на 12 мовах, більше зручності та швидкі послуги.
HIP2100IRZT
Виробник
категорія продукту
опис
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн
Технічні характеристики
-
серії-
-
пакетBulk
-
статус частиниActive
-
керована конфігураціяHalf-Bridge
-
тип каналуIndependent
-
кількість водіїв2
-
тип ворітN-Channel MOSFET
-
напруга - живлення9V ~ 14V
-
логічна напруга - vil, vih4V, 7V
-
струм - піковий вихід (джерело, поглинач)2A, 2A
-
тип введенняNon-Inverting
-
напруга високої сторони - макс (бутстрап)114 V
-
час наростання/спаду (тип.)10ns, 10ns
-
Робоча температура-55°C ~ 150°C (TJ)
-
тип монтажуSurface Mount
-
пакет / футляр16-VQFN Exposed Pad
-
пакет пристрою постачальника16-QFN-EP (5x5)
