Технічні характеристики

• серії
  NexFET™
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  25 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.1V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  +16V, -12V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  3.1W (Ta)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  8-VSON-CLIP (5x6)
• пакет / футляр
  8-PowerTDFN