Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• статус частини
  Obsolete
• фет типу
  P-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  55 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  11A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  175mOhm @ 6.6A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  19 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  350 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  38W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  D-PAK (TO-252AA)
• пакет / футляр
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63