RFD3055LE

RFD3055LE

Виробник

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - поодинокі

опис

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tube
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    N-Channel
  • технології
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    60 V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    11A (Tc)
  • напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
    5V
  • rds on (max) @ id, vgs
    107mOhm @ 8A, 5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    11.3 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±16V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    350 pF @ 25 V
  • функція fet
    -
  • Розсіювана потужність (макс.)
    38W (Tc)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтажу
    Through Hole
  • пакет пристрою постачальника
    I-PAK
  • пакет / футляр
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

RFD3055LE Запит про ціну

В наявності 24809
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.84000
Планова ціна:
Всього:0.84000

Технічний паспорт