Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Tray
• статус частини
  Active
• тип діода
  Silicon Carbide Schottky
• напруга - зворотний постійний струм (vr) (макс.)
  1200 V
• струм - середній випрямлений (іо)
  61A (DC)
• напруга - вперед (vf) (max) @ якщо
  1.75 V @ 40 A
• швидкість
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• час зворотного відновлення (trr)
  0 ns
• струм - зворотний витік @ вр
  200 µA @ 1200 V
• ємність @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  Die
• пакет пристрою постачальника
  Die
• робоча температура - спай
  -55°C ~ 175°C