Технічні характеристики

• серії
  -
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• керована конфігурація
  Half-Bridge
• тип каналу
  Independent
• кількість водіїв
  2
• тип воріт
  N-Channel MOSFET
• напруга - живлення
  8V ~ 12.6V
• логічна напруга - vil, vih
  0.8V, 2V
• струм - піковий вихід (джерело, поглинач)
  2A, 2A
• тип введення
  Non-Inverting
• напруга високої сторони - макс (бутстрап)
  175 V
• час наростання/спаду (тип.)
  65ns, 65ns
• Робоча температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• пакет пристрою постачальника
  8-SOIC-EP