Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  -
• конфігурація
  Full Bridge
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  3000 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  34 A
• потужність - макс
  150 W
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.2V @ 15V, 20A
• струм - колекторне відсічення (макс.)
  -
• вхідна ємність (cies) @ vce
  -
• введення
  Standard
• ntc термістор
  No
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  24-SMD Module, 9 Leads
• пакет пристрою постачальника
  24-SMPD