Технічні характеристики

• серії
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• тип igbt
  NPT
• напруга - пробій колектора емітера (макс.)
  3000 V
• струм - колектор (ic) (макс.)
  38 A
• струм - колектор імпульсний (icm)
  120 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• потужність - макс
  200 W
• енергія перемикання
  -
• тип введення
  Standard
• затворний заряд
  62 nC
• td (вмикання/вимкнення) при 25°c
  40ns/166ns
• умова випробування
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• час зворотного відновлення (trr)
  1.4 µs
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет / футляр
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• пакет пристрою постачальника
  TO-263