LS3550SB DIE

LS3550SB DIE

Виробник

Linear Integrated Systems, Inc.

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - одинарні

опис

HIGHER CURRENT, SINGLE NPN TRANS

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tray
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    PNP
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    10 mA
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    40 V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    200pA (ICBO)
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    100 @ 1mA, 5V
  • потужність - макс
    -
  • частота – перех
    600MHz
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    Die
  • пакет пристрою постачальника
    Die

LS3550SB DIE Запит про ціну

В наявності 14756
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
2.15000
Планова ціна:
Всього:2.15000