Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  60 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  1.2A (Ta)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  480mOhm @ 1.2A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.5V @ 25µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  0.67 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±16V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  64 pF @ 25 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  1.25W (Ta)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Surface Mount
• пакет пристрою постачальника
  Micro3™/SOT-23
• пакет / футляр
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3