IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF

Виробник

IR (Infineon Technologies)

категорія продукту

транзистори - фети, мосфети - матриці

опис

MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • фет типу
    2 N-Channel (Dual)
  • функція fet
    Logic Level Gate
  • напруга відведення до джерела (vdss)
    30V
  • струм - безперервний злив (id) при 25°c
    8.1A
  • rds on (max) @ id, vgs
    17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.1V @ 10µA
  • заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
    11nC @ 4.5V
  • вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
    1020pF @ 25V
  • потужність - макс
    2W
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет пристрою постачальника
    8-SO

IRL6372TRPBF Запит про ціну

В наявності 22912
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.91000
Планова ціна:
Всього:0.91000

Технічний паспорт