Технічні характеристики

• серії
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• статус частини
  Obsolete
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  20 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  60A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.55V @ 250µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• функція fet
  -
• Розсіювана потужність (макс.)
  48W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  IPAK (TO-251)
• пакет / футляр
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA