Технічні характеристики

• серії
  CoolMOS™
• пакет
  Tube
• статус частини
  Active
• фет типу
  N-Channel
• технології
  MOSFET (Metal Oxide)
• напруга відведення до джерела (vdss)
  800 V
• струм - безперервний злив (id) при 25°c
  4A (Tc)
• напруга приводу (макс. rds увімкнено, min rds увімкнено)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.5V @ 700µA
• заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• вхідна ємність (СНП) (макс.) @ vds
  250 pF @ 500 V
• функція fet
  Super Junction
• Розсіювана потужність (макс.)
  32W (Tc)
• Робоча температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтажу
  Through Hole
• пакет пристрою постачальника
  PG-TO251-3
• пакет / футляр
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA