DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F

Виробник

Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)

категорія продукту

транзистори - біполярні (bjt) - одинарні, попередньо зміщені

опис

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Електронна пошта запиту пропозицій: [email protected] or Запити онлайн

Технічні характеристики

  • серії
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • статус частини
    Active
  • транзисторного типу
    NPN - Pre-Biased
  • струм - колектор (ic) (макс.)
    500 mA
  • напруга - пробій колектора емітера (макс.)
    50 V
  • резистор - база (r1)
    1 kOhms
  • резистор - база емітера (r2)
    10 kOhms
  • посилення струму постійного струму (hfe) (хв.) @ ic, vce
    56 @ 50mA, 5V
  • насичення vce (макс.) @ ib, ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • струм - колекторне відсічення (макс.)
    500nA
  • частота – перех
    200 MHz
  • потужність - макс
    200 mW
  • тип монтажу
    Surface Mount
  • пакет / футляр
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3

DDTD113ZC-7-F Запит про ціну

В наявності 33189
Кількість:
Ціна за одиницю (довідкова ціна):
0.31000
Планова ціна:
Всього:0.31000

Технічний паспорт

Завантажити